浙江康鹏半导体有限公司成立于年11月5日，年6月正式入驻兰溪光膜小镇。公司由北京卜俊鹏团队（投资、技术、运营）、厦门乾照光电股份有限公司、安芯基金（投资）联合投资，主营年产万片化合物半导体基板材料砷化镓单晶抛光片。
年11月30日，康鹏半导体项目正式投产，这是兰溪首个化合物半导体产业项目，开启了光膜小镇光电材料产业2.0时代；同时也填补了国内射频芯片用砷化镓衬底材料的产业空白，助推了国家信息产业的发展。
砷化镓单晶衬底是红光LED以及无线通讯用射频器件的关键、基础材料，处于整个产业链的最顶端。从整个产业链角度来说，砷化镓材料及其衍生产业极其庞大，特别是发展到集成电路和器件应用，面向民用电子产品市场。
目前砷化镓电子器件衬底是砷化镓材料的主要用途，砷化镓材料在RF（射频）上应用占多数，移动终端用功率和开关模块上砷化镓HBT/PHEMT处于领导地位，材料以6英寸绝缘晶片为主。在红黄光LED的应用也占可观比例，在装饰照明、汽车电子及户外显示等领域产业地位明确稳固，材料以4英寸导电晶片为主。
未来5G和Micro-LED的应用将成为砷化镓材料需求的新增长点，5G多项关键技术直接推动射频RF前端芯片成长，物联网产业将借助5G通讯网络实现落地，上述要素必将成为驱动市场发展的新引擎。Micro-LED中的红色单元必须在砷化镓单晶材料衬底上制作，材料将会以6英寸为主。
砷化镓晶体的质量、成本以及晶片制程的稳定性是决胜市场的关键，VGF法生长晶体质量优良，已经成为砷化镓晶体材料绝对主流技术，晶体生长的速度、成晶率、均匀性以及晶片表面缺陷控制是决定市场竞争力的主要因素。
康鹏项目的技术运用团队都是从事砷化镓工作具有十年以上的成员组成。在国内具有很高的技术水平和长期一线生产经验。本项目首席技术专家卜俊鹏是我国GaAs单晶技术产业化的首次推广成功者，具有30余年以上从事这项研究的经历，曾获得过大量科技成果，在近年，于产业化工艺技术和设备上有突破性创新，使本项目在国内处于领先水平，拥有强大竞争力和较高技术壁垒。同时项目团队集合多名多年从事GaAs单晶生长、衬底加工的高级技术人员及曾从事过其他化合物半导体单晶半导体材料生长的技术人员。团队成员具有丰富的GaAs研发、生产经验，也具有丰富的项目管理和衬底材料生产运营经验。
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